PN28F256M29EWHD TR

PN28F256M29EWHD TR是美光科技生产的一款256Mb容量并行接口NOR闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术，确保数据在断电后持久保存，其核心规格包括100ns的快速访问时间和写周期时间，能够满足高速数据读取和代码执行的需求。

芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的宽工作温度范围，具备良好的环境适应性。它提供32M x 8位或16M x 16位两种灵活的存储组织方式，通过标准的并行接口与主控制器连接，适用于需要可靠存储引导程序、操作系统或应用固件的嵌入式系统。

• 制造商产品型号：PN28F256M29EWHD TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：256Mb（32M x 8，16M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：100ns
• 访问时间：100ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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