MT47H64M8CB-3:B TR

MT47H64M8CB-3:B TR是一款由美光科技制造的512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8位的内部组织架构。该器件基于并联接口设计，工作电压为1.8V标准，在333MHz的时钟频率下可实现高达667MT/s的数据传输速率，其450ps的快速访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据处理能力。

芯片采用60-FBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于商业及工业温控环境。其核心卖点在于提供了DDR2技术带来的性能与功耗平衡，以及成熟的信号完整性管理功能，如片上终结（ODT），使其成为对可靠性和成本均有要求的嵌入式存储解决方案的合适组件。

• 型号:MT47H64M8CB-3:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
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