M29DW323DB70ZE6F TR是美光科技推出的一款32兆位并行NOR闪存芯片，采用48-TFBGA封装。它提供4M x 8位或2M x 16位的灵活存储组织方式，访问时间和写周期时间均为70纳秒，确保了高效的数据读写性能。
该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，具备良好的环境适应性。其并行接口和快速访问特性使其适用于需要可靠代码存储及直接执行的嵌入式应用场景。
- 型号:M29DW323DB70ZE6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:32Mb
- 存储器组织:4M x 8，2M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
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