MT29F64G08AMCBBH2-12:B是美光科技生产的一款64Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口，时钟频率可达83MHz，提供较高的数据吞吐带宽。其核心架构为8G x 8的组织形式，工作电压范围2.7V~3.6V，采用100-TBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C。
该器件基于非易失性闪存技术，适用于需要大容量、稳定数据存储的嵌入式系统。其并联接口设计便于与主控芯片进行高速数据交换，主要面向工业控制、网络通信及消费电子等领域的存储应用，作为固件、配置参数或用户数据的存储介质。
- 型号:MT29F64G08AMCBBH2-12:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-TBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100TBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-TBGA
- 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
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