MT41J256M8HX-15E:D TR是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用256M x 8的存储结构。该器件核心优势在于其667MHz的时钟频率，结合DDR技术可实现1333MT/s的有效数据传输速率，并提供13.5ns的访问时间，为系统提供了较高的内存带宽和响应速度。
芯片采用标准的1.5V供电（范围1.425V~1.575V），工作温度范围为0°C至95°C（TC），并采用78-TFBGA表面贴装封装，适用于紧凑型设计。其并联接口和DDR3 SDRAM技术使其能够广泛应用于对内存性能和容量有明确要求的网络、工业及嵌入式系统中。
- 型号:MT41J256M8HX-15E:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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