M58WR032KB70ZB6E是美光科技生产的一款32Mb容量并行NOR闪存。该芯片采用2M x 16位的组织架构，提供70ns的快速访问时间和70ns的字/页写周期时间，支持高达66MHz的时钟频率，确保了高效的数据读写性能。
其工作电压范围为1.7V至2.0V，有助于实现低功耗运行，并采用56-VFBGA小型化封装，适用于表面贴装。器件具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，满足严苛环境下的可靠性要求，适用于需要快速启动和稳定代码存储的嵌入式系统。
- 型号:M58WR032KB70ZB6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:32Mb
- 存储器组织:2M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
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