EDB8164B4PK-1D-F-D是美光科技生产的一款8Gb容量移动LPDDR2 SDRAM芯片，采用220-WFBGA封装。该器件基于128M x 64位的存储架构，通过并联接口实现高速数据交换，其核心时钟频率可达533MHz，能够为系统提供充足的内存带宽。
该芯片的突出优势在于其宽电压工作范围（1.14V~1.95V）与宽广的工作温度范围（-30°C~85°C），这使其在追求高性能的同时，能有效管理功耗并适应苛刻的环境条件。作为一款有源的表面贴装型易失性存储器，它主要面向需要高密度、低功耗运行内存的移动和嵌入式应用。
- 型号:EDB8164B4PK-1D-F-D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:220-FBGA（14x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 220FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:128M x 64
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:220-WFBGA
- 供应商器件封装:220-FBGA（14x14）
- 想获取EDB8164B4PK-1D-F-D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
