NP8P128A13BSM60E是美光科技推出的一款128Mb容量、基于相变存储器（PCM）技术的非易失性存储芯片。它采用16M x 8的组织结构，并提供并口与SPI双接口，访问时间与写周期时间均达到115ns的高速性能，显著提升了数据读写效率。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，采用56-TSOP表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C。其核心价值在于将NOR Flash的非易失性与接近RAM的高速写入能力相结合，适用于对启动速度、数据更新频率和系统可靠性有较高要求的应用场景。
- 型号:NP8P128A13BSM60E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PCM 128MBIT PARALLEL 56TSOP
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:PCM（PRAM）
- 技术:PCM（PRAM）
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8
- 存储器接口:并联，SPI
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:115ns
- 访问时间:115 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
- 想获取NP8P128A13BSM60E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
