MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E 是美光科技生产的一款2Gb（256M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA封装。其核心卖点在于提供了可靠的、非易失的大容量数据存储解决方案，工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的宽工作温度，适用于对环境适应性有要求的应用。
该器件基于成熟的闪存技术，其并行接口架构旨在实现高效的数据传输。其表面贴装型封装和标准的存储格式使其易于集成到各种嵌入式系统和工业设备中，用于程序代码、系统参数或用户数据的存储。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态。
- 型号:MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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