MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR是美光科技推出的一款768Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用闪存技术，提供非易失性数据存储，其核心组织架构为96G x 8位，能够满足大容量数据存储的需求。

该芯片通过并联接口运行，时钟频率可达333MHz，确保了高速的数据传输能力。其工作电压范围为2.5V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，这些参数共同定义了其在商业级应用中的高性能与高可靠性定位。

• 制造商产品型号：MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：768Gb（96G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• 想获取MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料