MT47H16M16BG-3E:B是美光科技生产的一款256Mb DDR2 SDRAM芯片，采用16M x 16的存储结构，提供高速并行数据访问。其核心卖点包括333MHz的时钟频率，配合DDR技术实现667MT/s的有效数据速率，以及450ps的快速访问时间，确保低延迟操作。
该器件工作电压为1.7V至1.9V，支持0°C至85°C的工业温度范围，并采用84-FBGA表面贴装封装，适用于空间受限的设计。作为一款易失性DRAM，它适用于需要高性能内存的嵌入式系统和网络设备，尽管已停产，但仍可通过库存渠道获取。
- 型号:MT47H16M16BG-3E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-FBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（8x14）
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