NAND512R3A2CZA6E是美光科技推出的一款512Mb容量并行NAND闪存芯片，采用64M x 8位的组织架构。其核心优势在于50ns的快速页写入和访问时间，配合标准的并行接口，能够为嵌入式系统提供高效的数据存储带宽。
该器件工作电压低至1.7V-1.95V，有助于系统节能，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保在恶劣环境下稳定运行。其采用的63-TFBGA表面贴装封装，兼顾了小型化与可靠的电气连接特性。
- 型号:NAND512R3A2CZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
- 想获取NAND512R3A2CZA6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
