M29W128FH70ZA6E是美光科技生产的一款128Mb并行NOR闪存，采用64-TBGA封装。该器件提供16M x 8或8M x 16的存储结构，支持灵活的字节/字访问模式，其核心优势在于70ns的快速访问时间和写周期时间，能够满足处理器直接执行代码（XIP）的实时性要求。
芯片工作电压为2.7V至3.6V，并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和数据非易失性。其并行接口设计便于与各类微控制器连接，主要面向需要可靠固件存储和快速读取的嵌入式应用场景。
- 型号:M29W128FH70ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-TBGA（10x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8，8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-TBGA
- 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
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