MT46V64M8CV-5B:J TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM，采用64M x 8的存储结构。该器件基于双倍数据速率技术，在200MHz的时钟频率下可实现400MT/s的有效数据传输速率，显著提升了数据吞吐能力。
其关键参数包括700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了高效的数据读写性能。芯片采用2.5V~2.7V低电压供电，工作温度范围为0°C至70°C，并以紧凑的60-VFBGA封装形式提供，适用于表面贴装工艺。这些特性使其成为需要中等容量、高带宽内存的嵌入式应用的理想选择。
- 型号:MT46V64M8CV-5B:J TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-VFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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