MT41K1G8TRF-125:E TR是美光科技推出的一款8Gb容量DDR3L SDRAM存储器，采用78-TFBGA表面贴装封装。该器件基于DDR3L标准，核心优势在于其低电压与高性能的结合，工作电压低至1.35V（典型值），可显著降低系统功耗，同时支持高达800MHz的时钟频率，提供1600 MT/s的数据传输速率，满足高带宽应用需求。
其存储结构为1G x 8位组织，访问时间为13.5ns，并具备标准的并联接口。该芯片工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于对热管理和可靠性有要求的嵌入式及网络通信设备。其卷带（TR）包装形式适配自动化贴装生产，有利于提升制造效率。
- 型号:MT41K1G8TRF-125:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9.5x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9.5x11.5）
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