NAND02GR3B2DN6E是美光科技推出的一款2Gb容量、并行接口的NAND闪存芯片，采用256M x 8位的组织架构。它基于非易失性闪存技术，确保数据在断电后不丢失，其核心优势在于45ns的快速页访问和写入周期时间，配合并联接口，能够实现高效的数据吞吐。
该器件工作电压范围为1.7V至1.95V，功耗控制出色，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，可靠性高。它采用48-TFSOP表面贴装封装，适用于对空间和稳定性有要求的嵌入式存储应用。
- 型号:NAND02GR3B2DN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:45ns
- 访问时间:45 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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