MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR是美光科技生产的一款128Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口，最高支持167MHz时钟频率。该芯片提供16G x 8位的存储组织方式，工作电压为2.7V至3.6V，确保了与广泛嵌入式平台的电源兼容性。
其核心特性包括支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，以及152球BGA封装形式，适用于对环境适应性和空间有要求的应用。作为一款非易失性存储器，它为需要大容量、可靠数据存储的系统提供了成熟的解决方案。
- 型号:MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-VBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb
- 存储器组织:16G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-VBGA
- 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
- 想获取MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
