MT49H16M18CSJ-25:B

MT49H16M18CSJ-25:B是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM芯片。该器件采用16M x 18的存储结构，通过并联接口提供高速数据访问，其核心时钟频率可达400MHz，典型访问时间为20ns，能够满足对数据吞吐速率有较高要求的应用场景。

芯片工作电压范围为1.7V至1.9V，体现了低功耗设计理念，并能在0°C至95°C的结温范围内稳定工作。它采用144-TBGA表面贴装封装，适用于空间紧凑的PCB设计。尽管产品状态已标注为停产，但其经市场验证的技术参数，包括高带宽、快速响应和宽温操作能力，使其在特定的延续性项目或设备维护中仍具备明确的实用价值。

• 型号:MT49H16M18CSJ-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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