NAND01GR3B2CZA6E是美光科技生产的一款1Gb容量、并行接口的NAND闪存芯片，采用63-TFBGA封装。该器件提供128M x 8位的存储结构，访问时间和页写入周期均为25ns，支持高速数据读写操作。其工作电压范围为1.7V至1.95V，有助于实现低功耗设计，并能在-40°C至85°C的宽温度范围内稳定工作，满足工业级应用的环境要求。
作为一款非易失性存储器，它适用于需要可靠数据存储的嵌入式系统。其并行接口便于与主机控制器连接，而表面贴装形式则适应高密度PCB布局。该芯片为各种电子设备提供了经济高效的大容量存储解决方案。
- 型号:NAND01GR3B2CZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9.5x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:25ns
- 访问时间:25 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9.5x12）
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