MT41J64M16JT-187E:G TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用64M x 16位的组织架构。该器件基于并联接口，核心时钟频率为533MHz，在DDR双倍数据速率技术下可实现1066MT/s的有效数据传输速率，为系统提供了高带宽的内存解决方案。
芯片采用标准的1.5V电压供电，工作电压范围在1.425V至1.575V之间，并支持0°C至95°C（TC）的宽工作温度范围，确保了在多种环境下的适应性。其表面贴装型的96-TFBGA封装形式，兼顾了小型化与高性能的需求，适用于空间受限的嵌入式设计。
- 型号:MT41J64M16JT-187E:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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