M29W160EB7AN6F TR是美光科技推出的一款16Mb并行NOR闪存芯片，采用48-TSOP封装和卷带包装。它提供2M x 8位或1M x 16位的灵活存储结构，支持高速随机访问，其访问时间和写周期时间均为70ns，确保了系统响应的及时性。
该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，并具备-40°C至85°C的宽工作温度范围，满足工业级应用对可靠性的严苛要求。作为一款非易失性存储器，它适用于需要可靠存储启动代码、应用程序或配置数据的嵌入式系统，是传统并行闪存架构中的经典解决方案。
- 型号:M29W160EB7AN6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:16Mb
- 存储器组织:2M x 8，1M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取M29W160EB7AN6F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
