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MICRON
MT8VDDT6464HY-40BF2的图片

MT8VDDT6464HY-40BF2

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
原厂封装:200-SODIMM
优势价格,MT8VDDT6464HY-40BF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT8VDDT6464HY-40BF2的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT8VDDT6464HY-40BF2是美光科技生产的一款512MB容量DDR SDRAM内存模组。该器件采用200针SODIMM标准封装,专为空间紧凑型设备设计,提供了标准化的物理与电气接口,确保在笔记本电脑、嵌入式系统等平台上的即插即用兼容性。

其核心性能指标为400MT/s的数据传输速率,基于DDR技术实现每个时钟周期两次数据传输,有效提升了内存带宽。512MB的存储容量能够满足多种嵌入式应用及旧系统升级对内存资源的基础需求,在性能、尺寸与成本之间取得了良好平衡。

  • Micron美光半导体完整型号: MT8VDDT6464HY-40BF2
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 功能总体简述: MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR SDRAM
  • 存储容量: 512MB
  • 速度: 400MT/s
  • 封装/外壳: 200-SODIMM
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