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MT8VDDT6464HG-335D1的图片

MT8VDDT6464HG-335D1

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
原厂封装:200-SODIMM
优势价格,MT8VDDT6464HG-335D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT8VDDT6464HG-335D1的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT8VDDT6464HG-335D1是美光科技推出的一款512MB容量DDR SDRAM内存模块,采用标准的200针SODIMM封装。该模块运行于167MHz时钟频率,利用DDR技术实现每个时钟周期两次数据传输,有效数据速率达到333MT/s,为早期移动和嵌入式平台提供了平衡的性能与带宽。

其设计遵循JEDEC DDR-333(PC-2700)规范,确保了与相应时代平台芯片组的广泛兼容性。512MB的存储容量适用于支持当时主流操作系统和应用程序运行的内存需求。紧凑的SODIMM外形使其专门面向空间受限的设备,如笔记本电脑、一体机及各类嵌入式工控系统。

  • Micron美光半导体完整型号: MT8VDDT6464HG-335D1
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 功能总体简述: MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR SDRAM
  • 存储容量: 512MB
  • 速度: 167MHz
  • 封装/外壳: 200-SODIMM
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