MT46V16M16CY-5B XIT:M是美光科技推出的一款256Mb容量DDR SDRAM芯片，采用16M x 16位的组织架构。该器件基于DDR1技术，在200MHz时钟频率下可实现400MT/s的数据传输速率，其700ps的访问时间和15ns的写周期时间提供了高效的数据吞吐性能。
芯片采用2.5V至2.7V供电，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在恶劣环境下的稳定运行。其60-TFBGA表面贴装封装形式，为空间受限的嵌入式应用提供了紧凑的解决方案。该并行接口DRAM适用于对带宽和可靠性有持续要求的各类电子系统。
- 型号:MT46V16M16CY-5B XIT:M
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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