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MICRON
MT8VDDT6464HY-335J1的图片

MT8VDDT6464HY-335J1

美光(MICRON)图标
存储卡,模块 > 存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
原厂封装:封装:
优势价格,MT8VDDT6464HY-335J1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT8VDDT6464HY-335J1的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT8VDDT6464HY-335J1是美光科技生产的一款512MB容量DDR SDRAM内存模块,采用标准的200针SODIMM封装。该模块的数据传输速率达到333MT/s,能够为系统提供稳定的内存带宽,满足主流嵌入式及移动计算平台对性能的基本需求。

其核心价值在于将标准化的DDR内存技术集成于紧凑的SODIMM外形中,确保了与广泛硬件平台的兼容性。模块内置SPD信息,支持即插即用,简化了系统集成与升级流程,主要适用于笔记本电脑、工业控制系统及其他空间受限的电子设备的内存扩展与替换。

  • 型号:MT8VDDT6464HY-335J1
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:
  • 类目:存储卡,模块 > 存储器 - 模块
  • 描述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 存储器类型:DDR SDRAM
  • 存储容量:512MB
  • 传输速率(Mb/s,MT/s,MHz):333
  • 封装/外壳:200-SODIMM
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