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MICRON
MT47H128M4CB-37E:B TR的图片

MT47H128M4CB-37E:B TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
原厂封装:产品封装:60-FBGA
优势价格,MT47H128M4CB-37E:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H128M4CB-37E:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H128M4CB-37E:B TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片,采用128M x 4位的组织架构。该器件工作时钟频率为267MHz,实现533MT/s的数据传输速率,其核心与I/O电压范围为1.7V至1.9V,典型工作温度为0°C至85°C。

该芯片提供500ps的快速访问时间与15ns的写周期时间,采用60引脚FBGA封装和并联接口,支持表面贴装。其设计遵循JEDEC DDR2标准,集成ODT等特性以优化信号完整性。作为一款已停产的成熟商用级存储器,它适用于需要稳定DDR2内存解决方案的各类嵌入式电子设备。

  • 制造商产品型号:MT47H128M4CB-37E:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:512Mb(128M x 4)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:267MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:500ps
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:60-FBGA
  • 想获取MT47H128M4CB-37E:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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