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MICRON
MT8KTF51264HZ-1G9E5的图片

MT8KTF51264HZ-1G9E5

美光(MICRON)图标
存储卡,模块 > 存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM
原厂封装:封装:
优势价格,MT8KTF51264HZ-1G9E5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT8KTF51264HZ-1G9E5的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT8KTF51264HZ-1G9E5是美光科技生产的一款4GB容量DDR3L SDRAM内存模组,采用204针SODIMM封装。其核心卖点在于实现了高性能与低功耗的平衡,数据传输速率高达1866MT/s,能提供充沛的内存带宽以满足 demanding 应用需求。

同时,该模组严格遵循DDR3L标准,工作电压仅为1.35V,相比标准DDR3内存能有效降低系统功耗与发热,特别适合对能效和散热有严格限制的移动计算平台及嵌入式设备。紧凑的SODIMM外形使其成为笔记本、一体机及各类空间受限系统进行内存升级或配置的标准化解决方案。

  • 型号:MT8KTF51264HZ-1G9E5
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:
  • 类目:存储卡,模块 > 存储器 - 模块
  • 描述:MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 存储器类型:DDR3L SDRAM
  • 存储容量:4GB
  • 传输速率(Mb/s,MT/s,MHz):1866
  • 封装/外壳:204-SODIMM
  • 想获取MT8KTF51264HZ-1G9E5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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