MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR是美光科技推出的一款64Gb（8GB）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和100-VBGA封装。该器件基于非易失性闪存技术，以8位数据宽度组织存储单元，为核心系统提供高密度、可靠的数据存储解决方案。
其关键特性包括支持高达100MHz时钟频率的并行接口，可实现高速数据吞吐；2.7V至3.6V的宽电压供电范围增强了设计适应性；0°C至70°C的商业级工作温度范围确保了在常见环境下的稳定运行。这些参数使其成为需要快速访问和大容量本地存储的嵌入式及数据中心应用的理想选择。
- 型号:MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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