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MICRON
MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR的图片

MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM LPDDR4 BGA
原厂封装:产品封装:-
优势价格,MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR是美光科技生产的一款LPDDR4接口DRAM芯片,采用BGA封装并以卷带(TR)形式供货。该器件集成了4Gb(512M x 64)的存储容量,专为满足现代电子设备对高带宽和低功耗的双重需求而设计。

其核心卖点在于实现了高性能与高能效的平衡。通过支持LPDDR4标准的高速数据传输特性和一系列先进的电源管理状态,该芯片能够在提供快速数据访问的同时,显著降低系统整体功耗。这使其成为追求紧凑设计、长续航和强劲性能的移动及嵌入式应用的优选内存解决方案。

  • 制造商产品型号:MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM LPDDR4 BGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:-
  • 存储器格式:-
  • 技术:-
  • 存储容量:-
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
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