MT49H64M9CBM-25E:B是美光科技生产的一款576Mb容量同步DRAM，采用64M x 9的存储结构，集成了数据校验位。该器件运行时钟频率为400MHz，支持DDR传输，实现高达800Mbps的数据速率，访问时间为15ns，能够满足高速数据处理的实时性要求。
其工作电压范围为1.7V至1.9V，采用144-TFBGA封装，表面贴装，适用于0°C至95°C（TC）的工业温度环境。该芯片提供标准的并行接口，主要面向需要高带宽、中等存储容量且注重数据完整性的网络通信、工业控制及嵌入式系统等应用领域。
- 型号:MT49H64M9CBM-25E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:64M x 9
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
- 想获取MT49H64M9CBM-25E:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
