MT47H32M16CC-3E:B TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用32M字深度、16位宽度的并联架构。该器件基于成熟的DDR2技术，核心工作电压为1.8V（范围1.7V~1.9V），旨在提供平衡的性能与能效表现。
其关键性能参数包括333MHz的时钟频率，支持高达667MT/s的数据传输率，访问时间为450ps，确保了快速的数据吞吐能力。器件采用84-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于各类商业及工业级嵌入式应用。该芯片为需要中等容量、可靠同步动态内存的系统提供了一个经过市场验证的解决方案。
- 型号:MT47H32M16CC-3E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（12x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（12x12.5）
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