MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR

MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR是美光科技生产的一款8Gb容量Mobile LPDDR4 SDRAM。该器件采用256M x 32的组织结构，工作时钟频率为1.866GHz，能够提供高达3733 MT/s的数据传输速率，满足现代移动设备对高内存带宽的需求。

其核心优势在于出色的能效表现，采用0.6V和1.1V的双电压供电，显著降低了运行功耗。器件采用200-WFBGA表面贴装封装，尺寸紧凑，工作温度范围为-30°C至85°C，确保了在严苛环境下的可靠性和稳定性，适用于对空间和功耗敏感的高性能嵌入式应用。

• 型号:MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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