MT47R512M4EB-25E:C是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用512M x 4架构和并联接口，封装为60-TFBGA。该器件以400MHz时钟频率运行，支持双倍数据速率，实现高速数据传输，同时工作电压范围1.55V至1.9V，兼顾性能与能效。
其关键参数包括400ps访问时间和15ns写周期时间，确保快速响应能力，适用于对时序敏感的应用。工作温度覆盖0°C至85°C，适合商业级环境。该芯片主要用于网络设备、工业控制和嵌入式系统等领域，提供可靠的易失性存储解决方案。
- 型号:MT47R512M4EB-25E:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.55V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
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