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MT53E256M32D2DS-046 WT:B的图片

MT53E256M32D2DS-046 WT:B

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E256M32D2DS-046 WT:B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E256M32D2DS-046 WT:B的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E256M32D2DS-046 WT:B是美光科技生产的一款LPDDR4规格的8Gb容量存储器,采用256M x 32的DDP(双裸片)FBGA封装。该器件专为满足移动和嵌入式设备对高带宽与低功耗的并行需求而设计。

其核心优势在于提供了高达4266 Mbps的数据传输速率,显著提升了系统数据处理能力,同时凭借LPDDR4标准的先进电源管理技术,实现了优异的能效比。该型号适用于需要紧凑设计和高性能内存解决方案的各类前沿电子设备。

  • 型号:MT53E256M32D2DS-046 WT:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:256M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 想获取MT53E256M32D2DS-046 WT:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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