MT49H8M36SJ-TI:B

MT49H8M36SJ-TI:B 是美光科技生产的一款288Mb（8M x 36）容量并行接口DRAM存储器。该芯片采用易失性存储技术，提供高速数据读写能力，其36位宽数据总线设计优化了与32位处理器的数据交换效率，适用于需要高带宽数据缓冲的应用。

器件采用1.8V典型电压供电（范围1.7V~1.9V），支持0°C至95°C的工业级工作温度，并以144-TFBGA表面贴装封装形式提供，兼顾了性能与板级空间占用。其主要面向网络通信、工业控制等嵌入式系统领域，作为核心数据缓存或帧缓冲存储器使用。

• 型号:MT49H8M36SJ-TI:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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