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| MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR的报价和技术资料 - 美光(MICRON)授权中国代理商 |
MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR的图片

MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR

美光(MICRON)图标
集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
制造厂商：美光(MICRON)
功能简述：IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
原厂封装：封装:200-TFBGA（10x14.5）
优势价格，MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR的技术资料下载
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MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供
  • 型号:MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-TFBGA（10x14.5）
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:256M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字，页:18ns
  • 访问时间:3.5 ns
  • 电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-TFBGA
  • 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5）
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