MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TR

MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TR是美光科技生产的一款1.5Tb（192GB）大容量NAND闪存芯片，采用并联接口和272-VFBGA封装。该器件基于闪存技术，属于非易失性存储器，能够在断电后长期保存数据，其高达267MHz的时钟频率为高速数据读写提供了保障。

芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容常见的3.3V系统电源，并在0°C至70°C的环境温度下保持稳定运行。其核心卖点在于将极高的存储密度与可靠的性能相结合，通过先进的存储单元架构和内置管理功能，满足了对存储空间和带宽有严苛要求的现代应用场景。

• 制造商产品型号：MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
• 想获取MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料