MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR是美光科技推出的一款LPDDR4移动DRAM芯片，采用WFBGA封装和卷带（TR）包装。该芯片专为满足现代移动和便携式电子设备对高性能与低功耗的双重需求而设计。
其核心卖点在于实现了高速数据传输与出色的能效管理。芯片支持LPDDR4标准的高带宽，能够有效提升系统数据处理能力。同时，其先进的架构集成了多项低功耗技术，可根据系统负载动态优化功耗，显著延长电池供电设备的续航时间。紧凑的封装形式使其能够适应空间高度受限的PCB设计。
总体而言，这款芯片为智能手机、平板电脑等高集成度设备提供了一个可靠、高效的内存解决方案，平衡了性能、功耗和物理尺寸等多方面要求。
- 型号:MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA（10x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2.133 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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