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MICRON
MT41K128M16JT-125 M:K TR的图片

MT41K128M16JT-125 M:K TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(8x14)
优势价格,MT41K128M16JT-125 M:K TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K128M16JT-125 M:K TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K128M16JT-125 M:K TR是美光科技推出的一款2Gb容量DDR3L SDRAM芯片,采用128M x 16位架构。该器件基于先进的DDR3L技术,核心优势在于其低电压操作(1.283V~1.45V)与高性能的结合,在800MHz时钟频率下可实现1600MT/s的数据传输速率,同时有效降低系统功耗与热耗散。

该芯片提供13.75ns的快速访问时间,并采用96-TFBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至95°C(TC)。其并联接口符合行业标准,主要面向需要高速数据缓存和低功耗运行的嵌入式系统、网络通信设备及工业控制应用,是构建高效能内存解决方案的可靠选择。

  • 型号:MT41K128M16JT-125 M:K TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(8x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:128M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.75 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(8x14)
  • 想获取MT41K128M16JT-125 M:K TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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