MT47H64M8CB-25:B是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM存储器,采用64M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口,运行时钟频率为400MHz,凭借DDR技术实现高达800MT/s的有效数据传输速率,能够满足对带宽有较高要求的应用。
其关键参数包括1.7V至1.9V的工作电压范围,15ns的写周期时间以及400ps的访问时间,体现了快速的数据读写能力。该芯片采用60-FBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至85°C,适用于各类嵌入式系统与网络通信设备中的内存扩展需求。
- 型号:MT47H64M8CB-25:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
- 想获取MT47H64M8CB-25:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料