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MICRON
MT53E256M16D1DS-046 WT:B的图片

MT53E256M16D1DS-046 WT:B

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E256M16D1DS-046 WT:B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E256M16D1DS-046 WT:B的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E256M16D1DS-046 WT:B 是美光科技生产的一款LPDDR4规格的DRAM芯片,属于其存储器产品线中的有源器件,采用托盘包装。该器件专为满足现代移动和嵌入式系统对内存性能与能效的严苛要求而设计。

其核心价值体现在对LPDDR4标准的完整支持上,该标准旨在实现高数据速率下的超低功耗运行。芯片采用WFBGA封装,提供了紧凑的物理尺寸,非常适合空间受限的便携式设备设计。作为一款有源状态的成熟产品,它能够为需要可靠、高性能内存解决方案的应用提供稳定的供应保障。

  • 型号:MT53E256M16D1DS-046 WT:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:256M x 16
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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