MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR是美光科技生产的一款64Gb（8GB）容量并行接口NAND闪存芯片。它采用非易失性存储技术，以8位I/O宽度组织存储单元，为系统提供大容量的数据存储解决方案。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，采用48-TFSOP表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适合广泛的嵌入式应用环境。其核心优势在于通过并行接口实现相对高速的数据传输，并集成了增强数据可靠性的内部功能。
作为一款已停产的产品，它主要服务于既有系统的维护与延续，在工业控制、网络设备等对存储容量和稳定性有持续要求的领域仍具应用价值。
- 型号:MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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