MT53E256M16D1DS-046 AAT:B

MT53E256M16D1DS-046 AAT:B是美光科技（Micron Technology）生产的一款有源LPDDR4 DRAM芯片，采用WFBGA封装并以托盘形式供货，隶属于其存储器产品线。该器件专为满足现代移动和嵌入式系统对高性能、高密度内存的需求而设计。

其核心价值在于提供了符合LPDDR4标准的高速同步动态随机存取能力，旨在为应用处理器提供高带宽的数据通道，同时优化功耗表现。该芯片的架构与接口设计使其能够无缝集成到空间受限、对能效要求极高的设备中，是构建下一代智能终端核心内存子系统的关键组件。

• 型号:MT53E256M16D1DS-046 AAT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 想获取MT53E256M16D1DS-046 AAT:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料