NAND04GW3B2DN6E是美光科技生产的一款4Gb（512M x 8）容量NAND闪存芯片，采用48-TSOP封装和并联接口。该器件基于非易失性闪存技术，提供可靠的数据存储解决方案。
其核心参数包括25ns的快速访问与写周期时间，工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的宽工业级温度范围，确保了在多样化应用环境下的稳定性和耐用性。这款表面贴装型存储器适用于需要中等密度、并行数据接口的嵌入式系统设计。
- 型号:NAND04GW3B2DN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:25ns
- 访问时间:25 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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