MT40A512M16JY-083E AUT:B TR是美光科技推出的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用512M x 16位的并行架构。该器件支持高达1.2GHz的时钟频率，提供优异的数据传输带宽，同时其1.14V至1.26V的核心工作电压体现了DDR4技术在提升性能的同时降低功耗的设计优势。
该芯片采用96-TFBGA表面贴装封装，并具备-40°C至125°C的宽工作结温范围，这为其在工业控制、通信基础设施等环境条件要求严苛的应用中提供了可靠的运行保障。其设计符合主流DDR4接口标准，适用于需要高速、大容量易失性存储的各类计算与处理平台。
- 型号:MT40A512M16JY-083E AUT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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