MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR是美光科技生产的一款4Gb容量、采用Mobile LPDDR4技术的易失性存储器（DRAM）。该器件采用128M x 32的组织结构，核心数据速率高达2.133GHz，能够提供出色的数据传输带宽，满足现代移动和嵌入式应用对高速内存访问的需求。
其设计重点在于优化能效比，采用0.6V（I/O）和1.1V（核心）的双电压供电方案，有效降低了整体功耗。器件采用200-WFBGA表面贴装封装，支持卷带包装，适用于自动化生产线，工作温度范围为-30°C至85°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。
- 型号:MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA（10x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:128M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2.133 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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