MT40A512M8RH-083E IT:B TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用78-TFBGA封装。其核心架构为512M x 8位组织，通过并联接口与主控制器连接，在1.2GHz的时钟频率下可实现高速数据传输，满足现代计算系统对内存带宽的苛刻需求。
该器件工作电压为1.2V典型值（范围1.14V~1.26V），在提升性能的同时显著降低了功耗。其支持-40°C至95°C的宽温度范围，确保了在工业及扩展商业环境下的稳定运行。作为一款易失性DRAM，它主要服务于需要大容量、高吞吐率临时数据存储的应用场景。
- 型号:MT40A512M8RH-083E IT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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