MT47H128M8SH-25E AAT:M是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM存储器，采用128M x 8位的架构。该器件基于并联接口，时钟频率达400MHz，可实现高速数据交换，其访问时间仅为400ps，写周期时间为15ns，提供了出色的数据传输性能。
该芯片工作电压为1.7V至1.9V，有助于实现低功耗运行，并采用60-TFBGA表面贴装封装。其宽工作温度范围（-40°C至105°C结温）使其能够适应严苛的工业环境要求。此型号适用于需要可靠、中等容量和高带宽内存解决方案的各类嵌入式及通信系统。
- 型号:MT47H128M8SH-25E AAT:M
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
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