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MICRON
MT53E128M32D2DS-046 AIT:A TR的图片

MT53E128M32D2DS-046 AIT:A TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E128M32D2DS-046 AIT:A TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E128M32D2DS-046 AIT:A TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E128M32D2DS-046 AIT:A TR是美光科技生产的一款4Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该芯片采用128M x 32的组织结构,运行时钟频率高达2.133GHz,能够提供卓越的数据传输带宽,满足现代移动设备对高速内存访问的核心需求。

其设计重点在于优化功耗与可靠性。芯片采用0.6V和1.1V的双电压供电,有效降低了整体功耗。同时,其工作温度范围宽达-40°C至95°C,并采用200-WFBGA紧凑型封装,确保了在空间受限且环境多变的移动及嵌入式应用中的稳定运行和长期可靠性。

  • 型号:MT53E128M32D2DS-046 AIT:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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