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MICRON
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E的图片

MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
原厂封装:封装:376-WFBGA(14x14)
优势价格,MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E 是美光科技推出的一款48Gb容量、2133MHz时钟频率的Mobile LPDDR4 SDRAM。该器件采用768M x 64的组织结构,提供高达6GB的存储空间,专为满足现代高性能移动和嵌入式应用的大内存需求而设计。

其核心优势在于实现了高带宽与低功耗的出色结合。在1.1V工作电压下,它能提供4266 MT/s的数据传输速率,确保系统级的数据吞吐性能。同时,其376-WFBGA封装和-30°C至85°C的宽工作温度范围,使其能够适应空间紧凑、环境要求严苛的各种应用场景,如高端移动设备、汽车电子及工业控制系统。

  • 型号:MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:376-WFBGA(14x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:48Gb
  • 存储器组织:768M x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:376-WFBGA
  • 供应商器件封装:376-WFBGA(14x14)
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